收藏本站
HiPerFET TM
IXFH 80N085
V DSS
= 85 V
I D25
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt
Preliminary data sheet
IXFT 80N085
= 80 A
R DS(on) = 9 m W
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-247 AD (IXFH)
V DSS
V DGR
V GS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
Continuous
85
85
± 20
V
V
V
V GSM
I D25
I L(RMS)
I DM
I AR
E AR
Transient
T C = 25 ° C
Lead current limit
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
± 30
80
75
320
80
50
V
A
A
A
A
mJ
(TAB)
TO-268 (IXFT) Case Style
E AS
dv/dt
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
2.5
5
J
V/ns
G
S
(TAB)
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
Weight
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
TO-247
TO-268
300
-55 to +150
150
-55 to +150
300
1.13/10
6
4
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
g
g
G = Gate D = Drain
S = Source TAB = Drain
Features
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
? International standard packages
? Low R DS (on)
? Rated for unclamped Inductive load
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
85
2.0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
4.0
± 100
50
1
V
V
nA
m A
mA
switching (UIS)
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
Advantages
? Easy to mount
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
9
m W
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
98709 (03/24/00)
1-2
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFT80N10Q MOSFET N-CH 100V 80A TO-268
IXFT80N15Q MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
IXFT80N20Q MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
IXFT88N30P MOSFET N-CH 300V 88A TO268
IXFT94N30T MOSFET N-CH 300V 94A TO-268
IXFT96N20P MOSFET N-CH 200V 96A TO-268
IXFV110N10PS MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
IXFV12N120PS MOSFET N-CH 1200V 12A PLUS220SMD
相关代理商/技术参数
IXFT80N10 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.125 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT80N10Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 100V 0.015 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT80N15Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 150V 0.0225 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT80N20Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT80N30P3 功能描述:MOSFET HiPerFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT86N30T 功能描述:MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 300V 86A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT88N28P 功能描述:MOSFET Trench HiperFET Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFT88N30P 功能描述:MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 300V 88A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube